Создан новый тип спинтронных запоминающих устройств на базе ферримагнетика

Специалисты из Национального университета Сингапура разработали новое спинтронное запоминающее устройство на основе ферримагнитного, а не ферромагнитного элемента. Утверждается, что оно в 10 раз стабильнее и в 20 раз эффективнее существующих аналогов.

Ферримагнетики и ферромагнетики

Главным отличием ферримагнетиков от ферромагнетиков является то, что у первых есть высокое значение удельного сопротивления, меньшая величина индукции насыщения, а также более сложная температурная зависимость индукции.

В устройствах спинтроники, в отличие от устройств обычной электроники, энергию или информацию переносит ток спинов, а не электрический ток. Традиционные спинтроники на основе ферромагнетиков удовлетворяют некоторым из существующих требований, но страдают от проблем с масштабируемостью и стабильностью. Для решения данных проблем при создании новых спинтронных запоминающих устройств учёные использовали ферримагнетики. Исследователи заявили, что их версия может стать основой для новых ЗУ.

Учёные сравнили ферримагнетики и ферромагнетики с восьмиполосным шоссе и узкой улочкой. В случае использования ферримагнитных материалов спин основной информации может преодолевать большие расстояния, тогда как в ферромагнетиках это не работает.

Отмечается, что в ближайшее время исследователи намерены подписать контракт с производителем спинтронных запоминающих устройств, чтобы вывести технологию на рынок.

Источник: tproger.ru

Поделиться с друзьями:
Андройд IT
Добавить комментарий